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FPF2C8P2NL07A
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FPF2C8P2NL07A技术资料
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FPF2C8P2NL07A
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT MODULE 650V 30A 135W F2
原厂封装:
F2 模块
优势价格,FPF2C8P2NL07A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FPF2C8P2NL07A的技术资料下载
FPF2C8P2NL07A的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FPF2C8P2NL07A
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT MODULE 650V 30A 135W F2
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:停产
IGBT类型:场截止
配置:Three Phase
电压-集射极击穿(最大值):650V
电流-集电极(Ic)(最大值):30A
功率-最大值:135W
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A
电流-集电极截止(最大值):250A
不同Vce时输入电容(Cies):-
输入:标准
NTC热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:F2 模块
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