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    FGY75T95SQDT

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：IGBT 950V 75A
    原厂封装：TO-247-3 变式
    优势价格，FGY75T95SQDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FGY75T95SQDT的技术资料下载
    电话询问价格
    FGY75T95SQDT的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FGY75T95SQDT
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT 950V 75A
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：950V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：150A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：300A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.11V @ 15V，75A
  • 功率-最大值：434W
  • 开关能量：8.8mJ（开），3.2mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：137nC
  • 25°C时Td（开/关）值：28.8ns/117ns
  • 测试条件：600V，75A，4.7 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：259ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3 变式
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