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FGPF30N30TDTU的图片

FGPF30N30TDTU

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：IGBT 300V 44.6W TO220F

原厂封装：TO-220-3 整包

优势价格，FGPF30N30TDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FGPF30N30TDTU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：FGPF30N30TDTU

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT 300V 44.6W TO220F

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：沟道

电压-集射极击穿（最大值）：300V

电流-集电极(Ic)（最大值）：-

电流-集电极脉冲(Icm)：80A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 15V，10A

功率-最大值：44.6W

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：65nC

25°C时Td（开/关）值：22ns/130ns

测试条件：200V，20A，20 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：22ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-220-3 整包

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