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FGP30N6S2D
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FGP30N6S2D技术资料
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FGP30N6S2D
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 600V 45A 167W TO220AB
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,FGP30N6S2D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGP30N6S2D的技术资料下载
FGP30N6S2D的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FGP30N6S2D
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 600V 45A 167W TO220AB
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):45A
电流-集电极脉冲(Icm):108A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,12A
功率-最大值:167W
开关能量:55J(开),100J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:23nC
25°C时Td(开/关)值:6ns/40ns
测试条件:390V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):46ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-220-3
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