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    FGP10N60UNDF的图片

    FGP10N60UNDF

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：IGBT NPT 600V 20A TO220-3
    原厂封装：TO-220-3
    优势价格，FGP10N60UNDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FGP10N60UNDF的技术资料下载
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    FGP10N60UNDF的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FGP10N60UNDF
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT NPT 600V 20A TO220-3
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：NPT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：20A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：30A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，10A
  • 功率-最大值：139W
  • 开关能量：150μJ（开），50μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：37nC
  • 25°C时Td（开/关）值：8ns/52.2ns
  • 测试条件：400V，10A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：37.7ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-220-3
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