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    FGL35N120FTDTU的图片

    FGL35N120FTDTU

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：IGBT TRENCH/FS 1200V 70A TO264-3
    原厂封装：TO-264-3，TO-264AA
    优势价格，FGL35N120FTDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FGL35N120FTDTU的技术资料下载
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    FGL35N120FTDTU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FGL35N120FTDTU
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT TRENCH/FS 1200V 70A TO264-3
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：最後搶購
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：70A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：105A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，35A
  • 功率-最大值：368W
  • 开关能量：2.5mJ（开），1.7mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：210nC
  • 25°C时Td（开/关）值：34ns/172ns
  • 测试条件：600V，35A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：337ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-264-3，TO-264AA
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