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FGH75T65UPD
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FGH75T65UPD技术资料
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FGH75T65UPD
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，FGH75T65UPD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FGH75T65UPD的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FGH75T65UPD
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：不適用於新設計
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：150A
电流-集电极脉冲(Icm)：225A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，75A
功率-最大值：375W
开关能量：2.85mJ（开），1.2mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：385nC
25°C时Td（开/关）值：32ns/166ns
测试条件：400V，75A，3 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：85ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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