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FGH60T65SQD-F155
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FGH60T65SQD-F155价格
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FGH60T65SQD-F155技术资料
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FGH60T65SQD-F155
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，FGH60T65SQD-F155的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGH60T65SQD-F155的技术资料下载
FGH60T65SQD-F155的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FGH60T65SQD-F155
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：120A
电流-集电极脉冲(Icm)：240A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，60A
功率-最大值：333W
开关能量：227μJ（開），100μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：79nC
25°C时Td（开/关）值：20.8ns/102ns
测试条件：400V，15A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：34.6ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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