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FGH60N60UFDTU
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FGH60N60UFDTU技术资料
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FGH60N60UFDTU
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT 600V 120A 298W TO247
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，FGH60N60UFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGH60N60UFDTU的技术资料下载
FGH60N60UFDTU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FGH60N60UFDTU
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT 600V 120A 298W TO247
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：场截止
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：120A
电流-集电极脉冲(Icm)：180A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，60A
功率-最大值：298W
开关能量：1.81mJ（开），810μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：188nC
25°C时Td（开/关）值：23ns/130ns
测试条件：400V，60A，5 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：47ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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