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FGH50T65UPD
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FGH50T65UPD技术资料
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FGH50T65UPD
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，FGH50T65UPD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGH50T65UPD的技术资料下载
FGH50T65UPD的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FGH50T65UPD
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：不適用於新設計
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：100A
电流-集电极脉冲(Icm)：150A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，50A
功率-最大值：340W
开关能量：2.7mJ（开），740μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：230nC
25°C时Td（开/关）值：32ns/160ns
测试条件：400V，50A，6 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：53ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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