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FGD5T120SH
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FGD5T120SH技术资料
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FGD5T120SH
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
原厂封装：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
优势价格，FGD5T120SH的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGD5T120SH的技术资料下载
FGD5T120SH的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FGD5T120SH
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：10A
电流-集电极脉冲(Icm)：12.5A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.6V @ 15V，5A
功率-最大值：69W
开关能量：247μJ（开），94μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：6.7nC
25°C时Td（开/关）值：4.8ns/24.8ns
测试条件：600V，5A，30 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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