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FGD2N40L
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FGD2N40L技术资料
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FGD2N40L
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 400V 7A 29W DPAK
原厂封装:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
优势价格,FGD2N40L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGD2N40L的技术资料下载
FGD2N40L的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FGD2N40L
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 400V 7A 29W DPAK
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):400V
电流-集电极(Ic)(最大值):7A
电流-集电极脉冲(Icm):29A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.6V @ 2.4V,2.5A
功率-最大值:29W
开关能量:-
输入类型:逻辑
栅极电荷:11nC
25°C时Td(开/关)值:47ns/650ns
测试条件:300V,2.5A,51欧姆,4V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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