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FGB5N60UNDF
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT NPT 600V 10A D2PAK
原厂封装：
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
优势价格，FGB5N60UNDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGB5N60UNDF的技术资料下载
FGB5N60UNDF的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FGB5N60UNDF
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT NPT 600V 10A D2PAK
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：最後搶購
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：10A
电流-集电极脉冲(Icm)：15A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，5A
功率-最大值：73.5W
开关能量：80μJ（开），70μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：12.1nC
25°C时Td（开/关）值：5.4ns/25.4ns
测试条件：400V，5A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：35ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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