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FGB40N60SM
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FGB40N60SM技术资料
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FGB40N60SM
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK
原厂封装:
TO-263-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-263AB
优势价格,FGB40N60SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGB40N60SM的技术资料下载
FGB40N60SM的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FGB40N60SM
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:最後
IGBT类型:场截止
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):80A
电流-集电极脉冲(Icm):120A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
功率-最大值:349W
开关能量:870J(开),260J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:119nC
25°C时Td(开/关)值:12ns/92ns
测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-263-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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