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FGA70N33BTDTU
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FGA70N33BTDTU价格
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FGA70N33BTDTU技术资料
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FGA70N33BTDTU
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 330V 149W TO3P
原厂封装:
TO-3P-3,SC-65-3
优势价格,FGA70N33BTDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGA70N33BTDTU的技术资料下载
FGA70N33BTDTU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FGA70N33BTDTU
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 330V 149W TO3P
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:沟道
电压-集射极击穿(最大值):330V
电流-集电极(Ic)(最大值):-
电流-集电极脉冲(Icm):220A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,70A
功率-最大值:149W
开关能量:-
输入类型:标准
栅极电荷:49nC
25°C时Td(开/关)值:-
测试条件:-
反向恢复时间(trr):23ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-3P-3,SC-65-3
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