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FGA60N65SMD
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FGA60N65SMD技术资料
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FGA60N65SMD
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
原厂封装：
TO-3P-3，SC-65-3
优势价格，FGA60N65SMD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGA60N65SMD的技术资料下载
FGA60N65SMD的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FGA60N65SMD
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：120A
电流-集电极脉冲(Icm)：180A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，60A
功率-最大值：600W
开关能量：1.54mJ（开），450μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：189nC
25°C时Td（开/关）值：18ns/104ns
测试条件：400V，60A，3 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：47ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
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