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FGA50T65SHD
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FGA50T65SHD技术资料
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FGA50T65SHD
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
原厂封装:
TO-3P-3,SC-65-3
优势价格,FGA50T65SHD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGA50T65SHD的技术资料下载
FGA50T65SHD的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FGA50T65SHD
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):650V
电流-集电极(Ic)(最大值):100A
电流-集电极脉冲(Icm):150A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
功率-最大值:319W
开关能量:1.28mJ(开),384J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:87nC
25°C时Td(开/关)值:22.4ns/73.6ns
测试条件:400V,50A,6 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):34.6ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-3P-3,SC-65-3
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