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FGA30T65SHD
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FGA30T65SHD技术资料
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FGA30T65SHD
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
原厂封装：
TO-3P-3，SC-65-3
优势价格，FGA30T65SHD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGA30T65SHD的技术资料下载
FGA30T65SHD的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FGA30T65SHD
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
电流-集电极脉冲(Icm)：90A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
功率-最大值：238W
开关能量：598μJ（开），167μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：54.7nC
25°C时Td（开/关）值：14.4ns/52.8ns
测试条件：400V，30A，6 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：31.8ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
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