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FGA30S120P
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FGA30S120P技术资料
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FGA30S120P
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN
原厂封装:
TO-3P-3,SC-65-3
优势价格,FGA30S120P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGA30S120P的技术资料下载
FGA30S120P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FGA30S120P
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):1300V
电流-集电极(Ic)(最大值):60A
电流-集电极脉冲(Icm):150A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A
功率-最大值:348W
开关能量:-
输入类型:标准
栅极电荷:78nC
25°C时Td(开/关)值:-
测试条件:-
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-3P-3,SC-65-3
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