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FGA30N120FTDTU的图片

FGA30N120FTDTU

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：IGBT 1200V 60A 339W TO3P

原厂封装：TO-3P-3，SC-65-3

优势价格，FGA30N120FTDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FGA30N120FTDTU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：FGA30N120FTDTU

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT 1200V 60A 339W TO3P

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：最後搶購

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：1200V

电流-集电极(Ic)（最大值）：60A

电流-集电极脉冲(Icm)：90A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A

功率-最大值：339W

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：208nC

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：730ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-3P-3，SC-65-3

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