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FGA15S125P
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FGA15S125P技术资料
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FGA15S125P
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P
原厂封装:
TO-3P-3,SC-65-3
优势价格,FGA15S125P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGA15S125P的技术资料下载
FGA15S125P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FGA15S125P
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:最後
IGBT类型:沟道
电压-集射极击穿(最大值):1250V
电流-集电极(Ic)(最大值):30A
电流-集电极脉冲(Icm):45A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.72V @ 15V,15A
功率-最大值:136W
开关能量:-
输入类型:标准
栅极电荷:129nC
25°C时Td(开/关)值:-
测试条件:-
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-3P-3,SC-65-3
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