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    FGA15N120ANTDTU-F109的图片

    FGA15N120ANTDTU-F109

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：IGBT 1200V 30A 186W TO3P
    原厂封装：TO-3P-3，SC-65-3
    优势价格，FGA15N120ANTDTU-F109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    FGA15N120ANTDTU-F109的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FGA15N120ANTDTU-F109
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT 1200V 30A 186W TO3P
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：NPT 和沟道
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：45A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，15A
  • 功率-最大值：186W
  • 开关能量：3mJ（开），600μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：120nC
  • 25°C时Td（开/关）值：15ns/160ns
  • 测试条件：600V，15A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：330ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-3P-3，SC-65-3
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