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    FDZ3N513ZT

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
    原厂封装：4-WLCSP（0.96x0.96）
    优势价格，FDZ3N513ZT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FDZ3N513ZT的技术资料下载
    电话询问价格
    FDZ3N513ZT的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FDZ3N513ZT
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.1A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3.2V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：462 毫欧 @ 300mA，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：+5.5V，-0.3V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：85pF @ 15V
  • FET功能：肖特基二极管（体）
  • 功率耗散（最大值）：1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：4-WLCSP（0.96x0.96）
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