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FDW2601NZ
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FDW2601NZ技术资料
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FDW2601NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 8TSSOP
原厂封装:
8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
优势价格,FDW2601NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDW2601NZ的技术资料下载
FDW2601NZ的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDW2601NZ
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 8TSSOP
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:PowerTrench
零件状态:停产
FET类型:2 N 沟道(双)共漏
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):8.2A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 8.2A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):30nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1840pF @ 15V
功率-最大值:1.6W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
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