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FDU8778
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FDU8778技术资料
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FDU8778
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
原厂封装：
I-PAK
优势价格，FDU8778的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDU8778的技术资料下载
FDU8778的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FDU8778
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：PowerTrench?
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：25V
25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14 毫欧 @ 35A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：845pF @ 13V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：39W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：I-PAK
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