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FDU6612A
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FDU6612A技术资料
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FDU6612A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK
原厂封装:
I-PAK
优势价格,FDU6612A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDU6612A的技术资料下载
FDU6612A的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDU6612A
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:PowerTrench?
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):9.5A(Ta),30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 9.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):9.4nC @ 5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):660pF @ 15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.8W(Ta),36W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:I-PAK
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