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FDS8960C
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FDS8960C技术资料
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FDS8960C
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,FDS8960C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDS8960C的技术资料下载
FDS8960C的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDS8960C
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:PowerTrench?
零件状态:停产
FET类型:N 和 P 沟道
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):35V
25°C时电流-连续漏极(Id):7A,5A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 7A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):7.7nC @ 5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):570pF @ 15V
功率-最大值:900mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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