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FDS5692Z
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FDS5692Z技术资料
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FDS5692Z
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
原厂封装：
8-SOIC
优势价格，FDS5692Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDS5692Z的技术资料下载
FDS5692Z的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FDS5692Z
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：UltraFET?
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：50V
25°C时电流-连续漏极(Id)：5.8A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 5.8A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1025pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：8-SOIC
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