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FDS3890
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FDS3890技术资料
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FDS3890
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,FDS3890的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDS3890的技术资料下载
FDS3890的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDS3890
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:PowerTrench?
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):80V
25°C时电流-连续漏极(Id):4.7A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):44 毫欧 @ 4.7A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1180pF @ 40V
功率-最大值:900mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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