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FDS3601
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FDS3601技术资料
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FDS3601
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
原厂封装：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
优势价格，FDS3601的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDS3601的技术资料下载
FDS3601的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FDS3601
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：PowerTrench?
零件状态：停产
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：1.3A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：480 毫欧 @ 1.3A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：153pF @ 50V
功率-最大值：900mW
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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