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FDR8508P的图片

FDR8508P

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
原厂封装：8-LSOP（0.130，3.30mm 宽）
优势价格，FDR8508P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDR8508P的技术资料下载
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FDR8508P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FDR8508P
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：PowerTrench
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：750pF @ 15V
  • 功率-最大值：800mW
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-LSOP（0.130，3.30mm 宽）
  • 想获取FDR8508P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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