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FDR842P
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FDR842P技术资料
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FDR842P
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET P-CH 12V 11A SUPERSOT8
原厂封装：
SuperSOT?-8
优势价格，FDR842P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDR842P的技术资料下载
FDR842P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FDR842P
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET P-CH 12V 11A SUPERSOT8
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：12V
25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 11A，4.5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：80nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±8V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5350pF @ 6V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：SuperSOT?-8
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