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FDR838P的图片

FDR838P

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8
原厂封装：SuperSOT-8
优势价格，FDR838P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDR838P的技术资料下载
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FDR838P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FDR838P
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 8A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：45nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3300pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SuperSOT-8
  • 想获取FDR838P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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