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FDN8601的图片

FDN8601

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3

原厂封装：SuperSOT-3

优势价格，FDN8601的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDN8601的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：FDN8601

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：PowerTrench?

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：2.7A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：109 毫欧 @ 1.5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：210pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：SuperSOT-3

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