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    FDN5618P_G的图片

    FDN5618P_G

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
    原厂封装：SuperSOT-3
    优势价格，FDN5618P_G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FDN5618P_G的技术资料下载
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    FDN5618P_G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FDN5618P_G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：PowerTrench?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.25A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：170 毫欧 @ 1.25A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.8nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：430pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SuperSOT-3
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