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FDMS86101A的图片

FDMS86101A

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
原厂封装:8-PQFN(5x6)
优势价格,FDMS86101A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDMS86101A的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:FDMS86101A
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:PowerTrench?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):13A(Ta),60A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):58nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4120pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),104W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-PQFN(5x6)
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