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FDMS1D2N03DSD的图片

FDMS1D2N03DSD

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：PT11N 30/12 & PT11N 30/12

原厂封装：8-PowerWDFN

优势价格，FDMS1D2N03DSD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDMS1D2N03DSD的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：FDMS1D2N03DSD

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：PT11N 30/12 & PT11N 30/12

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：PowerTrench?

零件状态：有源

FET类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta），70A（Tc），37A（Ta），164A（Tc）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.25 毫欧 @ 19A，10V，0.97 毫欧 @ 37A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 320μA，3V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33nC @ 10V，117nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1410pF @ 15V，4860pF @ 15V

功率-最大值：2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerWDFN

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