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FDMD8900

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
原厂封装:12-PowerWDFN
优势价格,FDMD8900的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDMD8900的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:FDMD8900
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):19A,17A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4 毫欧 @ 19A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2605pF @ 15V
  • 功率-最大值:2.1W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:12-PowerWDFN
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