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FDMD8630
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FDMD8630技术资料
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FDMD8630
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
原厂封装:
8-PowerWDFN
优势价格,FDMD8630的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMD8630的技术资料下载
FDMD8630的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDMD8630
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:PowerTrench
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):38A(Ta),167A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1 毫欧 @ 38A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):142nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9930pF @ 15V
功率-最大值:2.3W(Ta),43W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-PowerWDFN
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