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    FDMD86100

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
    原厂封装：8-PowerWDFN
    优势价格，FDMD86100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    FDMD86100的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FDMD86100
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：PowerTrench?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N 沟道（双）共源
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.5 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2060pF @ 50V
  • 功率-最大值：2.2W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerWDFN
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