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FDMA291P
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FDMA291P技术资料
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FDMA291P
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
原厂封装：
6-MicroFET（2x2）
优势价格，FDMA291P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMA291P的技术资料下载
FDMA291P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FDMA291P
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：PowerTrench?
零件状态：有源
FET类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
25°C时电流-连续漏极(Id)：6.6A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：42 毫欧 @ 6.6A，4.5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±8V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 10V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：2.4W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：6-MicroFET（2x2）
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