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FDH633605
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FDH633605
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH DO-35
原厂封装:
DO-35
优势价格,FDH633605的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDH633605的技术资料下载
FDH633605的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDH633605
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH DO-35
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):-
25°C时电流-连续漏极(Id):-
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
不同Id时Vgs(th)(最大值):-
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
FET功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
安装类型:通孔
器件封装:DO-35
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