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FDG6335N
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FDG6335N技术资料
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FDG6335N
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
原厂封装:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
优势价格,FDG6335N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDG6335N的技术资料下载
FDG6335N的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDG6335N
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:PowerTrench?
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):700mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):300 毫欧 @ 700mA,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):1.4nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):113pF @ 10V
功率-最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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