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    FDG6321C-F169的图片

    FDG6321C-F169

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：INTEGRATED CIRCUIT
    原厂封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
    优势价格，FDG6321C-F169的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FDG6321C-F169的技术资料下载
    电话询问价格
    FDG6321C-F169的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FDG6321C-F169
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：INTEGRATED CIRCUIT
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：500mA（Ta），410mA（Ta）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 410mA，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.3nC @ 4.5V，1.5nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 10V，62pF @ 10V
  • 功率-最大值：300mW
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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