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FDG6308P
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FDG6308P技术资料
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FDG6308P
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
原厂封装：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
优势价格，FDG6308P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDG6308P的技术资料下载
FDG6308P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FDG6308P
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：PowerTrench?
零件状态：有源
FET类型：2 个 P 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：20V
25°C时电流-连续漏极(Id)：600mA
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.5nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：153pF @ 10V
功率-最大值：300mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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