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FDFMA3P029Z
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FDFMA3P029Z价格
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FDFMA3P029Z技术资料
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FDFMA3P029Z
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
原厂封装：
6-MicroFET（2x2）
优势价格，FDFMA3P029Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDFMA3P029Z的技术资料下载
FDFMA3P029Z的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FDFMA3P029Z
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：PowerTrench?
零件状态：停产
FET类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
25°C时电流-连续漏极(Id)：3.3A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：87 毫欧 @ 3.3A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
Vgs（最大值）：-
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：435pF @ 15V
FET功能：肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：6-MicroFET（2x2）
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