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    FDFMA2P029Z-F106的图片

    FDFMA2P029Z-F106

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
    原厂封装：6-MicroFET（2x2）
    优势价格，FDFMA2P029Z-F106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FDFMA2P029Z-F106的技术资料下载
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    FDFMA2P029Z-F106的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FDFMA2P029Z-F106
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：PowerTrench?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.1A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：95 毫欧 @ 3.1A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：720pF @ 10V
  • FET功能：肖特基二极管（隔离式）
  • 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-MicroFET（2x2）
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