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FDD3N50NZTM的图片

FDD3N50NZTM

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

原厂封装：D-Pak

优势价格，FDD3N50NZTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDD3N50NZTM的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：FDD3N50NZTM

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：UniFET-II?

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

25°C时电流-连续漏极(Id)：2.5A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.5 欧姆 @ 1.25A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：280pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：40W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：D-Pak

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