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FDD3510H
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FDD3510H技术资料
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FDD3510H
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
原厂封装：
TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
优势价格，FDD3510H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDD3510H的技术资料下载
FDD3510H的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FDD3510H
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：PowerTrench?
零件状态：有源
FET类型：N 和 P 沟道，共漏
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：80V
25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A，2.8A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 4.3A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：800pF @ 40V
功率-最大值：1.3W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
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