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FDD306P的图片

FDD306P

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
原厂封装:TO-252
优势价格,FDD306P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDD306P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:FDD306P
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:PowerTrench?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6.7A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 6.7A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):21nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1290pF @ 6V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):52W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-252
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